PJS6417. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PJS6417

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 148 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: SOT-23-6L

Аналог (замена) для PJS6417

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJS6417 даташит

 ..1. Size:291K  panjit
 pjs6417.pdf pdf_icon

PJS6417

PPJS6417 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) Voltage -20 V Current -6.5A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-6.5A

 8.1. Size:258K  panjit
 pjs6413.pdf pdf_icon

PJS6417

PPJS6413 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) Voltage -20 V Current -4.4A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-4.4A

 8.2. Size:286K  panjit
 pjs6416.pdf pdf_icon

PJS6417

PPJS6416 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) 20 V 7.4A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@7.4A

 8.3. Size:285K  panjit
 pjs6415.pdf pdf_icon

PJS6417

PPJS6415 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) Voltage -20 V Current -5.2A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-5.2A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PJS6401, PJS6404, PJS6405, PJS6407, PJS6413, PJS6414, PJS6415, PJS6416, AO4407, PJS6600, PJS6800, PJS6801, PJS6806, PJS6809, PJS6811, PJS6812, PJS6815