PJS6600 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJS6600
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Encapsulados: SOT-23-6L
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PJS6600 datasheet
pjs6600.pdf
PPJS6600 30V Complementary Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 6L Unit inch(mm) Voltage 30 / -30V Current 1.6 /-1.1A Features Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc. ESD Protected Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive Green molding compound as per IEC61249 Std. (Hal
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History: 2SK3900 | STU45N01
🌐 : EN ES РУ
Liste
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