Справочник MOSFET. PJS6600

 

PJS6600 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJS6600
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23-6L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PJS6600 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  panjit
 pjs6600.pdf pdf_icon

PJS6600

PPJS6600 30V Complementary Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 6L Unit: inch(mm) Voltage 30 / -30V Current 1.6 /-1.1A Features Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc. ESD Protected Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive Green molding compound as per IEC61249 Std. (Hal

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STP11NM60ND | SIHG47N60S | SM9A01NSFP | 9N95 | STF15N95K5 | IRF9131 | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.