PJT138K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJT138K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.236 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.36 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9.5 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-363
Búsqueda de reemplazo de PJT138K MOSFET
PJT138K Datasheet (PDF)
pjt138k.pdf
PPJT138K 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-363 Unit: inch(mm) 50 V 360mA Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@500mA
Otros transistores... PJS6806 , PJS6809 , PJS6811 , PJS6812 , PJS6815 , PJS6816 , PJS6832 , PJS6833 , 2N60 , PJT7408 , PJT7600 , PJT7800 , PJT7801 , PJT7802 , PJW1NA50 , PJW1NA60 , PJW1NA60A .
History: SFF250ZUB | AM4400N | DMF4N65 | DMT32M5LPS | ELM16402EA | IRF7854PBF | HY1310V
History: SFF250ZUB | AM4400N | DMF4N65 | DMT32M5LPS | ELM16402EA | IRF7854PBF | HY1310V
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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