PJT138K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJT138K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.236 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.36 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9.5 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-363
Búsqueda de reemplazo de PJT138K MOSFET
PJT138K Datasheet (PDF)
pjt138k.pdf
PPJT138K 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-363 Unit: inch(mm) 50 V 360mA Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@500mA
Otros transistores... PJS6806 , PJS6809 , PJS6811 , PJS6812 , PJS6815 , PJS6816 , PJS6832 , PJS6833 , 2N60 , PJT7408 , PJT7600 , PJT7800 , PJT7801 , PJT7802 , PJW1NA50 , PJW1NA60 , PJW1NA60A .
History: APT30M30LLLG | SIHF630S | NCE2030
History: APT30M30LLLG | SIHF630S | NCE2030
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet