PJT138K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PJT138K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.236 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 9.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для PJT138K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJT138K даташит

 ..1. Size:382K  panjit
 pjt138k.pdf pdf_icon

PJT138K

PPJT138K 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-363 Unit inch(mm) 50 V 360mA Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@500mA

Другие IGBT... PJS6806, PJS6809, PJS6811, PJS6812, PJS6815, PJS6816, PJS6832, PJS6833, 20N50, PJT7408, PJT7600, PJT7800, PJT7801, PJT7802, PJW1NA50, PJW1NA60, PJW1NA60A