PJT138K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PJT138K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.236 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.36 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 19.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 9.5 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
Аналог (замена) для PJT138K
PJT138K Datasheet (PDF)
pjt138k.pdf
PPJT138K 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-363 Unit: inch(mm) 50 V 360mA Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@500mA
Другие MOSFET... PJS6806 , PJS6809 , PJS6811 , PJS6812 , PJS6815 , PJS6816 , PJS6832 , PJS6833 , 20N50 , PJT7408 , PJT7600 , PJT7800 , PJT7801 , PJT7802 , PJW1NA50 , PJW1NA60 , PJW1NA60A .
History: SWP085R06V7T | 2SK2838B | MML60R190PTH | AM90N03-03P | FDU3580 | PJT7801 | GSM4424
History: SWP085R06V7T | 2SK2838B | MML60R190PTH | AM90N03-03P | FDU3580 | PJT7801 | GSM4424
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet


