PJT138K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PJT138K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.236 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.36 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 19.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 9.5 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
Аналог (замена) для PJT138K
PJT138K Datasheet (PDF)
pjt138k.pdf

PPJT138K 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-363 Unit: inch(mm) 50 V 360mA Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@500mA
Другие MOSFET... PJS6806 , PJS6809 , PJS6811 , PJS6812 , PJS6815 , PJS6816 , PJS6832 , PJS6833 , 2N60 , PJT7408 , PJT7600 , PJT7800 , PJT7801 , PJT7802 , PJW1NA50 , PJW1NA60 , PJW1NA60A .
History: SIHF640 | IRFIB41N15DPBF | VBFB1208N | S-LP3407LT1G | ZXMS6001N3 | SWF8N70D | VBE1206
History: SIHF640 | IRFIB41N15DPBF | VBFB1208N | S-LP3407LT1G | ZXMS6001N3 | SWF8N70D | VBE1206



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet