PJT7600 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PJT7600
   Código: T60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PJT7600

PJT7600 Datasheet (PDF)

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pjt7600.pdf

PPJT7600 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-363 Unit: inch(mm)20 / -20V 1 / -0.7AVoltage Current Features Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc. ESD Protected Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives. Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halogen Fr

0.1. Size:681K panjit
ppjt7600.pdf

PPJT7600 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-363 Unit: inch(mm) Voltage 20 / -20V Current 1 / -0.7A Features Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc. ESD Protected 2KV HBM Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive Green molding compound as per IEC61249 Std.

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Liste

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