Справочник MOSFET. PJT7600

 

PJT7600 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJT7600
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJT7600 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:379K  panjit
 pjt7600.pdf pdf_icon

PJT7600

PPJT7600 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-363 Unit: inch(mm)20 / -20V 1 / -0.7AVoltage Current Features Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc. ESD Protected Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives. Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halogen Fr

 0.1. Size:681K  panjit
 ppjt7600.pdf pdf_icon

PJT7600

PPJT7600 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-363 Unit: inch(mm) Voltage 20 / -20V Current 1 / -0.7A Features Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc. ESD Protected 2KV HBM Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive Green molding compound as per IEC61249 Std.

Другие MOSFET... PJS6811 , PJS6812 , PJS6815 , PJS6816 , PJS6832 , PJS6833 , PJT138K , PJT7408 , IRFB31N20D , PJT7800 , PJT7801 , PJT7802 , PJW1NA50 , PJW1NA60 , PJW1NA60A , PJW1NA80 , PJX138K .

 

 
Back to Top

 


 
.