PJT7600. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PJT7600

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для PJT7600

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJT7600 даташит

 ..1. Size:379K  panjit
 pjt7600.pdf pdf_icon

PJT7600

PPJT7600 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-363 Unit inch(mm) 20 / -20V 1 / -0.7A Voltage Current Features Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc. ESD Protected Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives. Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halogen Fr

 0.1. Size:681K  panjit
 ppjt7600.pdf pdf_icon

PJT7600

PPJT7600 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-363 Unit inch(mm) Voltage 20 / -20V Current 1 / -0.7A Features Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc. ESD Protected 2KV HBM Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive Green molding compound as per IEC61249 Std.

Другие IGBT... PJS6811, PJS6812, PJS6815, PJS6816, PJS6832, PJS6833, PJT138K, PJT7408, IRF2807, PJT7800, PJT7801, PJT7802, PJW1NA50, PJW1NA60, PJW1NA60A, PJW1NA80, PJX138K