PJT7600 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PJT7600
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
Аналог (замена) для PJT7600
PJT7600 Datasheet (PDF)
pjt7600.pdf

PPJT7600 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-363 Unit: inch(mm)20 / -20V 1 / -0.7AVoltage Current Features Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc. ESD Protected Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives. Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halogen Fr
ppjt7600.pdf

PPJT7600 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-363 Unit: inch(mm) Voltage 20 / -20V Current 1 / -0.7A Features Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc. ESD Protected 2KV HBM Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive Green molding compound as per IEC61249 Std.
Другие MOSFET... PJS6811 , PJS6812 , PJS6815 , PJS6816 , PJS6832 , PJS6833 , PJT138K , PJT7408 , IRFB31N20D , PJT7800 , PJT7801 , PJT7802 , PJW1NA50 , PJW1NA60 , PJW1NA60A , PJW1NA80 , PJX138K .
History: AO4482 | BSC070N10NS5
History: AO4482 | BSC070N10NS5



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor | bt152 datasheet