PJX8803 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

PJX8803 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJX8803

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.34 Ohm

Encapsulados: SOT-563

Búsqueda de reemplazo de PJX8803 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

..1. Size:263K panjit
pjx8803.pdf pdf_icon

8.1. Size:267K panjit
pjx8802.pdf pdf_icon

PPJX8802 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit inch(mm) 20 V 0.7A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.7A

8.2. Size:259K panjit
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8.3. Size:208K panjit
pjx8804.pdf pdf_icon

PPJX8804 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit inch(mm) 30 V 0.6A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.6A