PJX8803 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJX8803
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.34 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-563
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PJX8803
PJX8803 Datasheet (PDF)
pjx8803.pdf
PPJX8803 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit : inch(mm)Voltage -20 V Current -0.6A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-0.6A
pjx8802.pdf
PPJX8802 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit : inch(mm)20 V 0.7A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.7A
pjx8805.pdf
PPJX8805 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit : inch(mm)Voltage -30 V Current -0.5A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-0.5A
pjx8804.pdf
PPJX8804 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit : inch(mm)30 V 0.6A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.6A
pjx8806.pdf
PPJX8806 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit : inch(mm)20 V 800mAVoltage Current Features RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@500mA=0.4 RDS(ON), VGS@2.5V,IDS@300mA=0.7 RDS(ON), VGS@1.8V,IDS@100mA=1.2(typ) Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Load Switch or PWM application. ESD Protected Lead f
pjx8808.pdf
PPJX8808 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-563 Unit : inch(mm) Voltage 20 V Current 500mA Features Low Voltage Drive (1.2V). Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc. ESD Protected Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive. Green molding compound as per IEC61249 Std. (Hal
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History: HM7N60K
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