PJX8803. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PJX8803
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.34 Ohm
Тип корпуса: SOT-563
Аналог (замена) для PJX8803
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PJX8803 даташит
pjx8802.pdf
PPJX8802 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit inch(mm) 20 V 0.7A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.7A
pjx8804.pdf
PPJX8804 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit inch(mm) 30 V 0.6A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.6A
Другие IGBT... PJT7801, PJT7802, PJW1NA50, PJW1NA60, PJW1NA60A, PJW1NA80, PJX138K, PJX8802, IRF1405, PJX8804, PJX8805, PJX8806, PJZ6NA90, PJZ9NA90, PMBFJ174, PMBFJ175, PMBFJ176
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH
Popular searches
кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210






