Справочник MOSFET. PJX8803

 

PJX8803 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJX8803
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.34 Ohm
   Тип корпуса: SOT-563
 

 Аналог (замена) для PJX8803

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJX8803 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:263K  panjit
pjx8803.pdfpdf_icon

PJX8803

PPJX8803 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit : inch(mm)Voltage -20 V Current -0.6A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-0.6A

 8.1. Size:267K  panjit
pjx8802.pdfpdf_icon

PJX8803

PPJX8802 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit : inch(mm)20 V 0.7A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.7A

 8.2. Size:259K  panjit
pjx8805.pdfpdf_icon

PJX8803

PPJX8805 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit : inch(mm)Voltage -30 V Current -0.5A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-0.5A

 8.3. Size:208K  panjit
pjx8804.pdfpdf_icon

PJX8803

PPJX8804 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit : inch(mm)30 V 0.6A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.6A

Другие MOSFET... PJT7801 , PJT7802 , PJW1NA50 , PJW1NA60 , PJW1NA60A , PJW1NA80 , PJX138K , PJX8802 , NCEP15T14 , PJX8804 , PJX8805 , PJX8806 , PJZ6NA90 , PJZ9NA90 , PMBFJ174 , PMBFJ175 , PMBFJ176 .

History: 2SK3673-01MR | TPA65R260M | STS6P3LLH6

 

 
Back to Top

 


 
.