Справочник MOSFET. PJX8803

 

PJX8803 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PJX8803
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.34 Ohm
   Тип корпуса: SOT-563

 Аналог (замена) для PJX8803

 

 

PJX8803 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:263K  panjit
 pjx8803.pdf

PJX8803 PJX8803

PPJX8803 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit : inch(mm)Voltage -20 V Current -0.6A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-0.6A

 8.1. Size:267K  panjit
 pjx8802.pdf

PJX8803 PJX8803

PPJX8802 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit : inch(mm)20 V 0.7A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.7A

 8.2. Size:259K  panjit
 pjx8805.pdf

PJX8803 PJX8803

PPJX8805 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit : inch(mm)Voltage -30 V Current -0.5A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-0.5A

 8.3. Size:208K  panjit
 pjx8804.pdf

PJX8803 PJX8803

PPJX8804 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit : inch(mm)30 V 0.6A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.6A

 8.4. Size:264K  panjit
 pjx8806.pdf

PJX8803 PJX8803

PPJX8806 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit : inch(mm)20 V 800mAVoltage Current Features RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@500mA=0.4 RDS(ON), VGS@2.5V,IDS@300mA=0.7 RDS(ON), VGS@1.8V,IDS@100mA=1.2(typ) Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Load Switch or PWM application. ESD Protected Lead f

 8.5. Size:375K  panjit
 pjx8808.pdf

PJX8803 PJX8803

PPJX8808 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-563 Unit : inch(mm) Voltage 20 V Current 500mA Features Low Voltage Drive (1.2V). Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc. ESD Protected Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive. Green molding compound as per IEC61249 Std. (Hal

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top