PJZ6NA90 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJZ6NA90
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 101 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm
Encapsulados: TO-3PL
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PJZ6NA90 datasheet
pjf6na90 pjp6na90 pjz6na90.pdf
PPJP6NA90 / PJF6NA90 / PJZ6NA90 900V N-Channel MOSFET 900 V 6 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3A
Otros transistores... PJW1NA60A, PJW1NA80, PJX138K, PJX8802, PJX8803, PJX8804, PJX8805, PJX8806, IRF830, PJZ9NA90, PMBFJ174, PMBFJ175, PMBFJ176, PMBFJ177, PMBFJ620, PMC85XP, PMCM4401VNE
History: IRHM9150
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH
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