PJZ6NA90 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PJZ6NA90
Маркировка: Z6NA90
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 23.6 nC
trⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 101 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
Тип корпуса: TO-3PL
PJZ6NA90 Datasheet (PDF)
..1. Size:346K panjit
pjf6na90 pjp6na90 pjz6na90.pdf
pjf6na90 pjp6na90 pjz6na90.pdf
PPJP6NA90 / PJF6NA90 / PJZ6NA90 900V N-Channel MOSFET 900 V 6 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3A
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918