PJZ6NA90. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PJZ6NA90

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 101 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm

Тип корпуса: TO-3PL

Аналог (замена) для PJZ6NA90

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJZ6NA90 даташит

 ..1. Size:346K  panjit
 pjf6na90 pjp6na90 pjz6na90.pdf pdf_icon

PJZ6NA90

PPJP6NA90 / PJF6NA90 / PJZ6NA90 900V N-Channel MOSFET 900 V 6 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3A

Другие IGBT... PJW1NA60A, PJW1NA80, PJX138K, PJX8802, PJX8803, PJX8804, PJX8805, PJX8806, IRF830, PJZ9NA90, PMBFJ174, PMBFJ175, PMBFJ176, PMBFJ177, PMBFJ620, PMC85XP, PMCM4401VNE