PMC85XP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMC85XP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.485 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN2020-6
Búsqueda de reemplazo de PMC85XP MOSFET
PMC85XP Datasheet (PDF)
pmc85xp.pdf

PMC85XP30 V P-channel MOSFET with pre-biased NPN transistor15 May 2013 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in Trench MOSFETtechnology and NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) together in a leadless mediumpower DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.2. Features and benefits Trench MOSFET t
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History: 2SJ606-S | CES2336 | IRF5806PBF | IRLR8203PBF
History: 2SJ606-S | CES2336 | IRF5806PBF | IRLR8203PBF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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