PMC85XP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMC85XP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.485 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN2020-6
Búsqueda de reemplazo de PMC85XP MOSFET
PMC85XP Datasheet (PDF)
pmc85xp.pdf

PMC85XP30 V P-channel MOSFET with pre-biased NPN transistor15 May 2013 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in Trench MOSFETtechnology and NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) together in a leadless mediumpower DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.2. Features and benefits Trench MOSFET t
Otros transistores... PJX8806 , PJZ6NA90 , PJZ9NA90 , PMBFJ174 , PMBFJ175 , PMBFJ176 , PMBFJ177 , PMBFJ620 , MMD60R360PRH , PMCM4401VNE , PMCM4401VPE , PMCM440VNE , PMCM6501VPE , PMCM650VNE , WFF2N65 , WFF2N65B , WFF4N60 .
History: OSG55R380DF | AOB260L | 2SK772 | CEP50P03 | SI7633DP | 2SJ358C | MTP3N35
History: OSG55R380DF | AOB260L | 2SK772 | CEP50P03 | SI7633DP | 2SJ358C | MTP3N35



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139