Справочник MOSFET. PMC85XP

 

PMC85XP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMC85XP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.485 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PMC85XP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  nxp
pmc85xp.pdfpdf_icon

PMC85XP

PMC85XP30 V P-channel MOSFET with pre-biased NPN transistor15 May 2013 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in Trench MOSFETtechnology and NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) together in a leadless mediumpower DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.2. Features and benefits Trench MOSFET t

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IXFM75N10 | 2SK4108 | CM20N50P | JCS2N60MB | 2SK2424 | P0908ATF | AP9997GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.