Справочник MOSFET. PMC85XP

 

PMC85XP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMC85XP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.485 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020-6
 

 Аналог (замена) для PMC85XP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMC85XP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  nxp
 pmc85xp.pdf pdf_icon

PMC85XP

PMC85XP30 V P-channel MOSFET with pre-biased NPN transistor15 May 2013 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in Trench MOSFETtechnology and NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) together in a leadless mediumpower DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.2. Features and benefits Trench MOSFET t

Другие MOSFET... PJX8806 , PJZ6NA90 , PJZ9NA90 , PMBFJ174 , PMBFJ175 , PMBFJ176 , PMBFJ177 , PMBFJ620 , MMD60R360PRH , PMCM4401VNE , PMCM4401VPE , PMCM440VNE , PMCM6501VPE , PMCM650VNE , WFF2N65 , WFF2N65B , WFF4N60 .

History: TPU60R840C | P2004EV | SSH4N55 | 2SK2717 | IRF5806PBF | HYG050N08NS1P | 2SK4075B

 

 
Back to Top

 


 
.