PMC85XP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PMC85XP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.485 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
Тип корпуса: DFN2020-6
Аналог (замена) для PMC85XP
PMC85XP Datasheet (PDF)
pmc85xp.pdf

PMC85XP30 V P-channel MOSFET with pre-biased NPN transistor15 May 2013 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in Trench MOSFETtechnology and NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) together in a leadless mediumpower DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.2. Features and benefits Trench MOSFET t
Другие MOSFET... PJX8806 , PJZ6NA90 , PJZ9NA90 , PMBFJ174 , PMBFJ175 , PMBFJ176 , PMBFJ177 , PMBFJ620 , MMD60R360PRH , PMCM4401VNE , PMCM4401VPE , PMCM440VNE , PMCM6501VPE , PMCM650VNE , WFF2N65 , WFF2N65B , WFF4N60 .
History: STU20N15 | NTMFS4C09NT1G
History: STU20N15 | NTMFS4C09NT1G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139