PMC85XP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMC85XP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.485 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: DFN2020-6

Аналог (замена) для PMC85XP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMC85XP даташит

 ..1. Size:231K  nxp
 pmc85xp.pdf pdf_icon

PMC85XP

PMC85XP 30 V P-channel MOSFET with pre-biased NPN transistor 15 May 2013 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in Trench MOSFET technology and NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) together in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits Trench MOSFET t

Другие IGBT... PJX8806, PJZ6NA90, PJZ9NA90, PMBFJ174, PMBFJ175, PMBFJ176, PMBFJ177, PMBFJ620, RU7088R, PMCM4401VNE, PMCM4401VPE, PMCM440VNE, PMCM6501VPE, PMCM650VNE, WFF2N65, WFF2N65B, WFF4N60