WFF4N60 Todos los transistores

 

WFF4N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WFF4N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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WFF4N60 Datasheet (PDF)

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WFF4N60

WFF4N60WFF4N60WFF4N60WFF4N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 4A,600V,R (Max 2.5)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 16nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150)General Descri

Otros transistores... PMC85XP , PMCM4401VNE , PMCM4401VPE , PMCM440VNE , PMCM6501VPE , PMCM650VNE , WFF2N65 , WFF2N65B , IRFZ44N , WFF5N60 , WFF5N60B , WFF5N60C , WFF5N65B , WFF5N80 , WFF630 , WFF634 , WFF640 .

History: RSQ045N03FRA | WPMD2008 | AMF920NE | 2SK2008 | SSF2300 | 10N60G-TF3T-T | SH8K25

 

 
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