Справочник MOSFET. WFF4N60

 

WFF4N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFF4N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для WFF4N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF4N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:677K  winsemi
 wff4n60.pdf pdf_icon

WFF4N60

WFF4N60WFF4N60WFF4N60WFF4N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 4A,600V,R (Max 2.5)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 16nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150)General Descri

Другие MOSFET... PMC85XP , PMCM4401VNE , PMCM4401VPE , PMCM440VNE , PMCM6501VPE , PMCM650VNE , WFF2N65 , WFF2N65B , IRFZ44N , WFF5N60 , WFF5N60B , WFF5N60C , WFF5N65B , WFF5N80 , WFF630 , WFF634 , WFF640 .

History: INJ0312AP1 | 2SK2063 | 2SK1332 | AON6912A

 

 
Back to Top

 


 
.