WFF4N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFF4N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для WFF4N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF4N60 даташит

 ..1. Size:677K  winsemi
 wff4n60.pdf pdf_icon

WFF4N60

WFF4N60 WFF4N60 WFF4N60 WFF4N60 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 4A,600V,R (Max 2.5 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 16nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC) ISO Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Descri

Другие IGBT... PMC85XP, PMCM4401VNE, PMCM4401VPE, PMCM440VNE, PMCM6501VPE, PMCM650VNE, WFF2N65, WFF2N65B, IRFZ44N, WFF5N60, WFF5N60B, WFF5N60C, WFF5N65B, WFF5N80, WFF630, WFF634, WFF640