WFF730 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WFF730

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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WFF730 datasheet

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WFF730

WFF730 WFF730 WFF730 WFF730 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 5.5A,400V, R (Max 1.0 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced using W

Otros transistores... WFF5N60, WFF5N60B, WFF5N60C, WFF5N65B, WFF5N80, WFF630, WFF634, WFF640, IRFZ44, WFF740, WFF7N60, WFF7N65S, WFF830, WFF840, WFF840B, WFF8N60, WFF8N60B