WFF730 Todos los transistores

 

WFF730 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WFF730
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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WFF730 Datasheet (PDF)

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WFF730

WFF730WFF730WFF730WFF730Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures5.5A,400V, R (Max 1.0)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using W

Otros transistores... WFF5N60 , WFF5N60B , WFF5N60C , WFF5N65B , WFF5N80 , WFF630 , WFF634 , WFF640 , IRF640 , WFF740 , WFF7N60 , WFF7N65S , WFF830 , WFF840 , WFF840B , WFF8N60 , WFF8N60B .

History: FDS5682 | IXTQ75N10P | FQPF5N50CTTU | RQ1A070ZPTR | IXTQ69N30PM | IXTQ60N20T | CS740FA9H

 

 
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