Справочник MOSFET. WFF730

 

WFF730 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFF730
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для WFF730

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF730 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:681K  winsemi
 wff730.pdf pdf_icon

WFF730

WFF730WFF730WFF730WFF730Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures5.5A,400V, R (Max 1.0)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using W

Другие MOSFET... WFF5N60 , WFF5N60B , WFF5N60C , WFF5N65B , WFF5N80 , WFF630 , WFF634 , WFF640 , IRFZ44 , WFF740 , WFF7N60 , WFF7N65S , WFF830 , WFF840 , WFF840B , WFF8N60 , WFF8N60B .

History: SIHF840 | SLP7N70C

 

 
Back to Top

 


 
.