WFF730. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFF730

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для WFF730

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF730 даташит

 ..1. Size:681K  winsemi
 wff730.pdf pdf_icon

WFF730

WFF730 WFF730 WFF730 WFF730 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 5.5A,400V, R (Max 1.0 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced using W

Другие IGBT... WFF5N60, WFF5N60B, WFF5N60C, WFF5N65B, WFF5N80, WFF630, WFF634, WFF640, IRFZ44, WFF740, WFF7N60, WFF7N65S, WFF830, WFF840, WFF840B, WFF8N60, WFF8N60B