WFF7N60 Todos los transistores

 

WFF7N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WFF7N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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WFF7N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:722K  winsemi
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WFF7N60

WFF7N60WFF7N60WFF7N60WFF7N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 7A,600V,R (Max 1.2)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 29nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150)General Descri

 8.1. Size:282K  winsemi
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WFF7N60

WFF7N65SWFF7N65SWFF7N65SWFF7N65S650V Super-Junction Power MOSFET650V Super-Junction Power MOSFET650V Super-Junction Power MOSFET650V Super-Junction Power MOSFETFeaturesD Ultra low Rdson Ultra low gate charge (typ. Qg =19nC) 100% UIS testedG RoHS compliantSGeneral DescriptionPower MOSFET is fabricated using advanced super junctiontechnology. The re

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History: S80N10RN | IXTH12N120

 

 
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