Справочник MOSFET. WFF7N60

 

WFF7N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFF7N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для WFF7N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF7N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:722K  winsemi
 wff7n60.pdf pdf_icon

WFF7N60

WFF7N60WFF7N60WFF7N60WFF7N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 7A,600V,R (Max 1.2)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 29nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150)General Descri

 8.1. Size:282K  winsemi
 wff7n65s.pdf pdf_icon

WFF7N60

WFF7N65SWFF7N65SWFF7N65SWFF7N65S650V Super-Junction Power MOSFET650V Super-Junction Power MOSFET650V Super-Junction Power MOSFET650V Super-Junction Power MOSFETFeaturesD Ultra low Rdson Ultra low gate charge (typ. Qg =19nC) 100% UIS testedG RoHS compliantSGeneral DescriptionPower MOSFET is fabricated using advanced super junctiontechnology. The re

Другие MOSFET... WFF5N60C , WFF5N65B , WFF5N80 , WFF630 , WFF634 , WFF640 , WFF730 , WFF740 , IRF1404 , WFF7N65S , WFF830 , WFF840 , WFF840B , WFF8N60 , WFF8N60B , WFF8N65B , WFF9N50 .

History: SVT044R5NT | ME6874-G | HMS75N65T | RQ6E035AT | CHM5813ESQ2GP | FQP3N60

 

 
Back to Top

 


 
.