WFF7N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFF7N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для WFF7N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF7N60 даташит

 ..1. Size:722K  winsemi
 wff7n60.pdf pdf_icon

WFF7N60

WFF7N60 WFF7N60 WFF7N60 WFF7N60 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 7A,600V,R (Max 1.2 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 29nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC) ISO Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Descri

 8.1. Size:282K  winsemi
 wff7n65s.pdf pdf_icon

WFF7N60

WFF7N65S WFF7N65S WFF7N65S WFF7N65S 650V Super-Junction Power MOSFET 650V Super-Junction Power MOSFET 650V Super-Junction Power MOSFET 650V Super-Junction Power MOSFET Features D Ultra low Rdson Ultra low gate charge (typ. Qg =19nC) 100% UIS tested G RoHS compliant S General Description Power MOSFET is fabricated using advanced super junction technology. The re

Другие IGBT... WFF5N60C, WFF5N65B, WFF5N80, WFF630, WFF634, WFF640, WFF730, WFF740, IRF1404, WFF7N65S, WFF830, WFF840, WFF840B, WFF8N60, WFF8N60B, WFF8N65B, WFF9N50