WFF830 Todos los transistores

 

WFF830 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WFF830
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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WFF830 Datasheet (PDF)

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WFF830

WFF830WFF830WFF830WFF830Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 4.5A,500V,R Max 1.5)@V =10VDS(on)( GS Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using W

Otros transistores... WFF5N80 , WFF630 , WFF634 , WFF640 , WFF730 , WFF740 , WFF7N60 , WFF7N65S , IRF640N , WFF840 , WFF840B , WFF8N60 , WFF8N60B , WFF8N65B , WFF9N50 , WFF9N90 , WFJ5N65B .

History: SML10B75XX | WSD30L40DN | TPCA8046-H | SM3095PSD | IRFBA90N20D | HM30N04D | RFP15N08L

 

 
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