WFF830. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFF830

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для WFF830

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF830 даташит

 ..1. Size:577K  winsemi
 wff830.pdf pdf_icon

WFF830

WFF830 WFF830 WFF830 WFF830 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 4.5A,500V,R Max 1.5 )@V =10V DS(on)( GS Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced using W

Другие IGBT... WFF5N80, WFF630, WFF634, WFF640, WFF730, WFF740, WFF7N60, WFF7N65S, IRFB4110, WFF840, WFF840B, WFF8N60, WFF8N60B, WFF8N65B, WFF9N50, WFF9N90, WFJ5N65B