WFF8N65B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WFF8N65B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 48 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 25 nC
Tiempo de subida (tr): 80 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 115 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WFF8N65B
WFF8N65B Datasheet (PDF)
wff8n65b.pdf
WFF8N65BWFF8N65BWFF8N65BWFF8N65BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 7.5A,650V,R (Max1.3)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 25nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage (V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150)General
wff8n65l.pdf
WFF8N65L Product DescriptionSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesD8.0A,650V,R (Max1.4)@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 14.5nC) Fast Switching CapabilityG 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)SGeneral DescriptionThis Power MOSFET is produce
wff8n60.pdf
WFF8N60WFF8N60WFF8N60WFF8N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 7.5A,600V,R (Max1.2)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 28nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage (V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150)General Desc
wff8n60b.pdf
WFF8N60BWFF8N60BWFF8N60BWFF8N60BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 7.5A,600V,R (Max1.2)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 28nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage (V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150)General
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