Справочник MOSFET. WFF8N65B

 

WFF8N65B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WFF8N65B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 25 nC
   Время нарастания (tr): 80 ns
   Выходная емкость (Cd): 115 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для WFF8N65B

 

 

WFF8N65B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:695K  winsemi
wff8n65b.pdf

WFF8N65B
WFF8N65B

WFF8N65BWFF8N65BWFF8N65BWFF8N65BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 7.5A,650V,R (Max1.3)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 25nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage (V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150)General

 7.1. Size:215K  winsemi
wff8n65l.pdf

WFF8N65B
WFF8N65B

WFF8N65L Product DescriptionSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesD8.0A,650V,R (Max1.4)@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 14.5nC) Fast Switching CapabilityG 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)SGeneral DescriptionThis Power MOSFET is produce

 8.1. Size:696K  winsemi
wff8n60.pdf

WFF8N65B
WFF8N65B

WFF8N60WFF8N60WFF8N60WFF8N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 7.5A,600V,R (Max1.2)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 28nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage (V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150)General Desc

 8.2. Size:709K  winsemi
wff8n60b.pdf

WFF8N65B
WFF8N65B

WFF8N60BWFF8N60BWFF8N60BWFF8N60BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 7.5A,600V,R (Max1.2)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 28nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage (V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150)General

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top