WFF9N90 Todos los transistores

 

WFF9N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WFF9N90
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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WFF9N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:512K  winsemi
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WFF9N90

WFF9N90WFF9N90WFF9N90WFF9N90Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 9A,900V, R (Max1.35)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 58nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis N-Channel enhancement mode p

 9.1. Size:1048K  winsemi
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WFF9N90

WFF9N50WFF9N50WFF9N50WFF9N50Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 9A,500V, R (Max0.75)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 30nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usi

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History: WFF630 | NTLUS3A18PZTAG | HGB080N10AL | WSD30160DN56 | RU8205C6 | WFF8N65B | PNM523T703E0-2

 

 
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