Справочник MOSFET. WFF9N90

 

WFF9N90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFF9N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для WFF9N90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF9N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:512K  winsemi
 wff9n90.pdf pdf_icon

WFF9N90

WFF9N90WFF9N90WFF9N90WFF9N90Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 9A,900V, R (Max1.35)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 58nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis N-Channel enhancement mode p

 9.1. Size:1048K  winsemi
 wff9n50.pdf pdf_icon

WFF9N90

WFF9N50WFF9N50WFF9N50WFF9N50Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 9A,500V, R (Max0.75)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 30nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usi

Другие MOSFET... WFF7N65S , WFF830 , WFF840 , WFF840B , WFF8N60 , WFF8N60B , WFF8N65B , WFF9N50 , IRFB4110 , WFJ5N65B , WFJ8N65B , WFN1N60 , WFN1N60N , WFP10N60 , WFP10N65 , WFP12N60 , WFP12N65 .

History: HGD040N06SL

 

 
Back to Top

 


 
.