WFJ5N65B Todos los transistores

 

WFJ5N65B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WFJ5N65B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262
 

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WFJ5N65B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:654K  winsemi
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WFJ5N65B

WFJ5N65BWFJ5N65BWFJ5N65BWFJ5N65BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 4.5A,650V,R (Max2.5)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical13.3nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produce

Otros transistores... WFF830 , WFF840 , WFF840B , WFF8N60 , WFF8N60B , WFF8N65B , WFF9N50 , WFF9N90 , IRFP250N , WFJ8N65B , WFN1N60 , WFN1N60N , WFP10N60 , WFP10N65 , WFP12N60 , WFP12N65 , WFP12N65S .

History: HGP080N08SL | WSD30160DN56 | HUF75631S3S | NTLUS3A18PZTAG | RU8205C6 | WFF8N65B | PNM523T703E0-2

 

 
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