WFJ5N65B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WFJ5N65B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO-262

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WFJ5N65B datasheet

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WFJ5N65B

WFJ5N65B WFJ5N65B WFJ5N65B WFJ5N65B Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 4.5A,650V,R (Max2.5 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical13.3nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produce

Otros transistores... WFF830, WFF840, WFF840B, WFF8N60, WFF8N60B, WFF8N65B, WFF9N50, WFF9N90, IRFB4115, WFJ8N65B, WFN1N60, WFN1N60N, WFP10N60, WFP10N65, WFP12N60, WFP12N65, WFP12N65S