WFJ5N65B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFJ5N65B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для WFJ5N65B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFJ5N65B даташит

 ..1. Size:654K  winsemi
 wfj5n65b.pdf pdf_icon

WFJ5N65B

WFJ5N65B WFJ5N65B WFJ5N65B WFJ5N65B Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 4.5A,650V,R (Max2.5 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical13.3nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produce

Другие IGBT... WFF830, WFF840, WFF840B, WFF8N60, WFF8N60B, WFF8N65B, WFF9N50, WFF9N90, IRFB4115, WFJ8N65B, WFN1N60, WFN1N60N, WFP10N60, WFP10N65, WFP12N60, WFP12N65, WFP12N65S