WFJ8N65B Todos los transistores

 

WFJ8N65B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WFJ8N65B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262
 

 Búsqueda de reemplazo de WFJ8N65B MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WFJ8N65B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:308K  winsemi
 wfj8n65b.pdf pdf_icon

WFJ8N65B

WFJ8N65BSilicon N-Channel MOSFETFeatures 7.5A,650V,R (Max1.3)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 25nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage (V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150) General Description This Power MOSFET is produced using Winsemi's advanced planar stripe, VDMOS technology. this late

Otros transistores... WFF840 , WFF840B , WFF8N60 , WFF8N60B , WFF8N65B , WFF9N50 , WFF9N90 , WFJ5N65B , IRFP250N , WFN1N60 , WFN1N60N , WFP10N60 , WFP10N65 , WFP12N60 , WFP12N65 , WFP12N65S , WFP13N50 .

History: UF740L-TF3-T | FRM234D | IPB114N03LG | NTHL040N120SC1 | IRFZ15 | P2003EVG | SVGP157R5NT

 

 
Back to Top

 


 
.