WFJ8N65B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFJ8N65B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для WFJ8N65B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFJ8N65B даташит

 ..1. Size:308K  winsemi
 wfj8n65b.pdf pdf_icon

WFJ8N65B

WFJ8N65B Silicon N-Channel MOSFET Features 7.5A,650V,R (Max1.3 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 25nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage (V =4000V AC) ISO Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced using Winsemi's advanced planar stripe, VDMOS technology. this late

Другие IGBT... WFF840, WFF840B, WFF8N60, WFF8N60B, WFF8N65B, WFF9N50, WFF9N90, WFJ5N65B, 2N7000, WFN1N60, WFN1N60N, WFP10N60, WFP10N65, WFP12N60, WFP12N65, WFP12N65S, WFP13N50