Справочник MOSFET. WFJ8N65B

 

WFJ8N65B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFJ8N65B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для WFJ8N65B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFJ8N65B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:308K  winsemi
 wfj8n65b.pdf pdf_icon

WFJ8N65B

WFJ8N65BSilicon N-Channel MOSFETFeatures 7.5A,650V,R (Max1.3)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 25nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage (V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150) General Description This Power MOSFET is produced using Winsemi's advanced planar stripe, VDMOS technology. this late

Другие MOSFET... WFF840 , WFF840B , WFF8N60 , WFF8N60B , WFF8N65B , WFF9N50 , WFF9N90 , WFJ5N65B , IRF9540 , WFN1N60 , WFN1N60N , WFP10N60 , WFP10N65 , WFP12N60 , WFP12N65 , WFP12N65S , WFP13N50 .

History: SFB027N100C3 | STD100N03LT4 | SSM6P15FU | IXTK120N25P | SWN7N65K2 | HGP059N08A | STW75N60M6

 

 
Back to Top

 


 
.