Справочник MOSFET. WFJ8N65B

 

WFJ8N65B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFJ8N65B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 28 nC
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WFJ8N65B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:308K  winsemi
 wfj8n65b.pdf pdf_icon

WFJ8N65B

WFJ8N65BSilicon N-Channel MOSFETFeatures 7.5A,650V,R (Max1.3)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 25nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage (V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150) General Description This Power MOSFET is produced using Winsemi's advanced planar stripe, VDMOS technology. this late

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQB34P10TM | STD100N03LT4 | BRCS1C5P06MA

 

 
Back to Top

 


 
.