WFP10N65 Todos los transistores

 

WFP10N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WFP10N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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WFP10N65 Datasheet (PDF)

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WFP10N65

WFP10N65WFP10N65WFP10N65WFP10N65Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 10A,650V,R (Max 0.95)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 43nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC)ISO Improved dv/dt capabilityGeneral DescriptionThis

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WFP10N65

WFP10N60WFP10N60WFP10N60WFP10N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 10A,600V,R (Max 0.75)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 34nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC)ISO Improved dv/dt capabilityGeneral DescriptionThis

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History: RSQ035N03TR | AG8N60S | HY3712PM | IRFI540GPBF | ZXM62P02E6 | IPD04N03LBG | NTLGF3402PT1G

 

 
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