Справочник MOSFET. WFP10N65

 

WFP10N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFP10N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для WFP10N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP10N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:792K  winsemi
 wfp10n65.pdf pdf_icon

WFP10N65

WFP10N65WFP10N65WFP10N65WFP10N65Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 10A,650V,R (Max 0.95)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 43nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC)ISO Improved dv/dt capabilityGeneral DescriptionThis

 7.1. Size:614K  winsemi
 wfp10n60.pdf pdf_icon

WFP10N65

WFP10N60WFP10N60WFP10N60WFP10N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 10A,600V,R (Max 0.75)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 34nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC)ISO Improved dv/dt capabilityGeneral DescriptionThis

Другие MOSFET... WFF8N65B , WFF9N50 , WFF9N90 , WFJ5N65B , WFJ8N65B , WFN1N60 , WFN1N60N , WFP10N60 , AON7408 , WFP12N60 , WFP12N65 , WFP12N65S , WFP13N50 , WFP18N20 , WFP18N50 , WFP2N60 , WFP2N60B .

History: IRFS341 | IXTK120N25P | STD100N03LT4 | SSM6P15FU | STW75N60M6 | HGP059N08A | SWN7N65K2

 

 
Back to Top

 


 
.