WFP10N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFP10N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для WFP10N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP10N65 даташит

 ..1. Size:792K  winsemi
 wfp10n65.pdf pdf_icon

WFP10N65

WFP10N65 WFP10N65 WFP10N65 WFP10N65 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 10A,650V,R (Max 0.95 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 43nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC) ISO Improved dv/dt capability General Description This

 7.1. Size:614K  winsemi
 wfp10n60.pdf pdf_icon

WFP10N65

WFP10N60 WFP10N60 WFP10N60 WFP10N60 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 10A,600V,R (Max 0.75 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 34nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC) ISO Improved dv/dt capability General Description This

Другие IGBT... WFF8N65B, WFF9N50, WFF9N90, WFJ5N65B, WFJ8N65B, WFN1N60, WFN1N60N, WFP10N60, IRFP250N, WFP12N60, WFP12N65, WFP12N65S, WFP13N50, WFP18N20, WFP18N50, WFP2N60, WFP2N60B