WFP4N60 Todos los transistores

 

WFP4N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WFP4N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 105 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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WFP4N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:445K  winsemi
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WFP4N60

WFP4N60WFP4N60WFP4N60WFP4N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 4A,600V,R (Max 2.2)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 16nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150)General Descri

Otros transistores... WFP12N65S , WFP13N50 , WFP18N20 , WFP18N50 , WFP2N60 , WFP2N60B , WFP3205 , WFP3205T , SPP20N60C3 , WFP50N06 , WFP50N06C , WFP5N50 , WFP5N60 , WFP5N60B , WFP5N80 , WFP630 , WFP634 .

History: IXFN26N100P | SVF8N65RDTR | TSA50N20MK | APM2701AC | HGP053N06SL | AFP1013 | SM2613PSC

 

 
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