WFP4N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFP4N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для WFP4N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP4N60 даташит

 ..1. Size:445K  winsemi
 wfp4n60.pdf pdf_icon

WFP4N60

WFP4N60 WFP4N60 WFP4N60 WFP4N60 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 4A,600V,R (Max 2.2 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 16nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC) ISO Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Descri

Другие IGBT... WFP12N65S, WFP13N50, WFP18N20, WFP18N50, WFP2N60, WFP2N60B, WFP3205, WFP3205T, K3569, WFP50N06, WFP50N06C, WFP5N50, WFP5N60, WFP5N60B, WFP5N80, WFP630, WFP634