WFP50N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WFP50N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: TO-220

 Búsqueda de reemplazo de WFP50N06 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

WFP50N06 datasheet

 ..1. Size:585K  winsemi
 wfp50n06.pdf pdf_icon

WFP50N06

WFP50N06 WFP50N06 WFP50N06 WFP50N06 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features R (Max 22m )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 31nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced using Wi

 0.1. Size:586K  winsemi
 wfp50n06c.pdf pdf_icon

WFP50N06

WFP50N06C WFP50N06C WFP50N06C WFP50N06C Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features R (Max 23m )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 31nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced usin

Otros transistores... WFP13N50, WFP18N20, WFP18N50, WFP2N60, WFP2N60B, WFP3205, WFP3205T, WFP4N60, IRFP260, WFP50N06C, WFP5N50, WFP5N60, WFP5N60B, WFP5N80, WFP630, WFP634, WFP640