WFP50N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFP50N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для WFP50N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP50N06 даташит

 ..1. Size:585K  winsemi
 wfp50n06.pdf pdf_icon

WFP50N06

WFP50N06 WFP50N06 WFP50N06 WFP50N06 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features R (Max 22m )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 31nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced using Wi

 0.1. Size:586K  winsemi
 wfp50n06c.pdf pdf_icon

WFP50N06

WFP50N06C WFP50N06C WFP50N06C WFP50N06C Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features R (Max 23m )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 31nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced usin

Другие IGBT... WFP13N50, WFP18N20, WFP18N50, WFP2N60, WFP2N60B, WFP3205, WFP3205T, WFP4N60, IRFP260, WFP50N06C, WFP5N50, WFP5N60, WFP5N60B, WFP5N80, WFP630, WFP634, WFP640