Справочник MOSFET. WFP50N06

 

WFP50N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFP50N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для WFP50N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP50N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:585K  winsemi
 wfp50n06.pdf pdf_icon

WFP50N06

WFP50N06WFP50N06WFP50N06WFP50N06Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesR (Max 22m)@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 31nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using Wi

 0.1. Size:586K  winsemi
 wfp50n06c.pdf pdf_icon

WFP50N06

WFP50N06CWFP50N06CWFP50N06CWFP50N06CSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesR (Max 23m)@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 31nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usin

Другие MOSFET... WFP13N50 , WFP18N20 , WFP18N50 , WFP2N60 , WFP2N60B , WFP3205 , WFP3205T , WFP4N60 , 8205A , WFP50N06C , WFP5N50 , WFP5N60 , WFP5N60B , WFP5N80 , WFP630 , WFP634 , WFP640 .

 

 
Back to Top

 


 
.