WFP640 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WFP640

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 245 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: TO-220

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WFP640 datasheet

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WFP640

WFP640 WFP640 WFP640 WFP640 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 18A,200V,R (Max 0.18 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 45nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation voltage(V =4000V AC) ISO Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Descript

Otros transistores... WFP50N06, WFP50N06C, WFP5N50, WFP5N60, WFP5N60B, WFP5N80, WFP630, WFP634, 5N65, WFP650, WFP70N06, WFP70N06T, WFP730, WFP740, WFP7N60, WFP830, WFP830B