WFP640. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFP640

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для WFP640

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP640 даташит

 ..1. Size:525K  winsemi
 wfp640.pdf pdf_icon

WFP640

WFP640 WFP640 WFP640 WFP640 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 18A,200V,R (Max 0.18 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 45nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation voltage(V =4000V AC) ISO Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Descript

Другие IGBT... WFP50N06, WFP50N06C, WFP5N50, WFP5N60, WFP5N60B, WFP5N80, WFP630, WFP634, 5N65, WFP650, WFP70N06, WFP70N06T, WFP730, WFP740, WFP7N60, WFP830, WFP830B