WFP640 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WFP640
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 45 nC
Время нарастания (tr): 54 ns
Выходная емкость (Cd): 245 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO-220
WFP640 Datasheet (PDF)
..1. Size:525K winsemi
wfp640.pdf
wfp640.pdf
WFP640WFP640WFP640WFP640Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 18A,200V,R (Max 0.18)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 45nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation voltage(V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150)General Descript
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
