Справочник MOSFET. WFP640

 

WFP640 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFP640
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для WFP640

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP640 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:525K  winsemi
 wfp640.pdf pdf_icon

WFP640

WFP640WFP640WFP640WFP640Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 18A,200V,R (Max 0.18)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 45nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation voltage(V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150)General Descript

Другие MOSFET... WFP50N06 , WFP50N06C , WFP5N50 , WFP5N60 , WFP5N60B , WFP5N80 , WFP630 , WFP634 , 4435 , WFP650 , WFP70N06 , WFP70N06T , WFP730 , WFP740 , WFP7N60 , WFP830 , WFP830B .

History: RJK0213DPA | P8010BV | APM9935K | GSM2318A

 

 
Back to Top

 


 
.