WFP730 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WFP730
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de WFP730 MOSFET
WFP730 Datasheet (PDF)
wfp730.pdf

WFP730WFP730WFP730WFP730Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesFeaturesFeaturesFeatures5.5A,400V, R (Max 1.0)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionGeneral
Otros transistores... WFP5N60B , WFP5N80 , WFP630 , WFP634 , WFP640 , WFP650 , WFP70N06 , WFP70N06T , STP80NF70 , WFP740 , WFP7N60 , WFP830 , WFP830B , WFP840 , WFP840B , WFP8N60 , WFP8N60B .
History: IPT60R065S7 | AP9960GJ | PMN42XPEA | APT50M50PVR | IXTH80N65X2 | FDG313ND87Z | NCEP02590T
History: IPT60R065S7 | AP9960GJ | PMN42XPEA | APT50M50PVR | IXTH80N65X2 | FDG313ND87Z | NCEP02590T



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
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