WFP730 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WFP730
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для WFP730
WFP730 Datasheet (PDF)
wfp730.pdf

WFP730WFP730WFP730WFP730Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesFeaturesFeaturesFeatures5.5A,400V, R (Max 1.0)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionGeneral
Другие MOSFET... WFP5N60B , WFP5N80 , WFP630 , WFP634 , WFP640 , WFP650 , WFP70N06 , WFP70N06T , STP80NF70 , WFP740 , WFP7N60 , WFP830 , WFP830B , WFP840 , WFP840B , WFP8N60 , WFP8N60B .
History: IPT60R065S7 | AP9960GJ | IXTH80N65X2 | NCEP02590T | FDG313ND87Z | APT50M50PVR
History: IPT60R065S7 | AP9960GJ | IXTH80N65X2 | NCEP02590T | FDG313ND87Z | APT50M50PVR



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet | irlr8726 datasheet | ru7088r mosfet | mp40 transistor