WFP730. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFP730

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для WFP730

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP730 даташит

 ..1. Size:668K  winsemi
 wfp730.pdf pdf_icon

WFP730

WFP730 WFP730 WFP730 WFP730 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features Features Features Features 5.5A,400V, R (Max 1.0 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description General

Другие IGBT... WFP5N60B, WFP5N80, WFP630, WFP634, WFP640, WFP650, WFP70N06, WFP70N06T, IRF530, WFP740, WFP7N60, WFP830, WFP830B, WFP840, WFP840B, WFP8N60, WFP8N60B