Справочник MOSFET. WFP730

 

WFP730 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFP730
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для WFP730

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP730 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:668K  winsemi
 wfp730.pdf pdf_icon

WFP730

WFP730WFP730WFP730WFP730Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesFeaturesFeaturesFeatures5.5A,400V, R (Max 1.0)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionGeneral

Другие MOSFET... WFP5N60B , WFP5N80 , WFP630 , WFP634 , WFP640 , WFP650 , WFP70N06 , WFP70N06T , AO4407 , WFP740 , WFP7N60 , WFP830 , WFP830B , WFP840 , WFP840B , WFP8N60 , WFP8N60B .

History: 2SK1213 | SQJ500AEP | AOI4S60 | JCS4N65FB | AP4419GH | FTK1N60P

 

 
Back to Top

 


 
.