WFP7N60 Todos los transistores

 

WFP7N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WFP7N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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WFP7N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:652K  winsemi
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WFP7N60

WFP7N60WFP7N60WFP7N60WFP7N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures7A,600V,R (Max 1.0)@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 29nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche TestedIsolation Voltage(V =4000V AC) ISO Maximum Junction Temperature Range(150)General Descri

Otros transistores... WFP630 , WFP634 , WFP640 , WFP650 , WFP70N06 , WFP70N06T , WFP730 , WFP740 , IRFP450 , WFP830 , WFP830B , WFP840 , WFP840B , WFP8N60 , WFP8N60B , WFP9N20 , WFU1N60 .

History: AO4614-30V | APT77N60BC6 | 2SK3376MFV | 2SK364 | 2N7002 | STB26NM60N | NCE0208IA

 

 
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