WFP7N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WFP7N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO-220

 Búsqueda de reemplazo de WFP7N60 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

WFP7N60 datasheet

 ..1. Size:652K  winsemi
 wfp7n60.pdf pdf_icon

WFP7N60

WFP7N60 WFP7N60 WFP7N60 WFP7N60 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 7A,600V,R (Max 1.0 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 29nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC) ISO Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Descri

Otros transistores... WFP630, WFP634, WFP640, WFP650, WFP70N06, WFP70N06T, WFP730, WFP740, NCEP15T14, WFP830, WFP830B, WFP840, WFP840B, WFP8N60, WFP8N60B, WFP9N20, WFU1N60