WFP7N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WFP7N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для WFP7N60
WFP7N60 Datasheet (PDF)
wfp7n60.pdf
WFP7N60WFP7N60WFP7N60WFP7N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures7A,600V,R (Max 1.0)@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 29nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche TestedIsolation Voltage(V =4000V AC) ISO Maximum Junction Temperature Range(150)General Descri
Другие MOSFET... WFP630 , WFP634 , WFP640 , WFP650 , WFP70N06 , WFP70N06T , WFP730 , WFP740 , NCEP15T14 , WFP830 , WFP830B , WFP840 , WFP840B , WFP8N60 , WFP8N60B , WFP9N20 , WFU1N60 .
History: CSD16401Q5
History: CSD16401Q5
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet | irlr8726 datasheet | ru7088r mosfet | mp40 transistor | fgpf4636 datasheet | 2sc1945


