WFP7N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WFP7N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 142 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 29 nC
Время нарастания (tr): 30 ns
Выходная емкость (Cd): 135 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1 Ohm
Тип корпуса: TO-220
WFP7N60 Datasheet (PDF)
..1. Size:652K winsemi
wfp7n60.pdf
wfp7n60.pdf
WFP7N60WFP7N60WFP7N60WFP7N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures7A,600V,R (Max 1.0)@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 29nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche TestedIsolation Voltage(V =4000V AC) ISO Maximum Junction Temperature Range(150)General Descri
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
