WFP7N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFP7N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для WFP7N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP7N60 даташит

 ..1. Size:652K  winsemi
 wfp7n60.pdf pdf_icon

WFP7N60

WFP7N60 WFP7N60 WFP7N60 WFP7N60 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 7A,600V,R (Max 1.0 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 29nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC) ISO Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Descri

Другие IGBT... WFP630, WFP634, WFP640, WFP650, WFP70N06, WFP70N06T, WFP730, WFP740, NCEP15T14, WFP830, WFP830B, WFP840, WFP840B, WFP8N60, WFP8N60B, WFP9N20, WFU1N60