Справочник MOSFET. WFP7N60

 

WFP7N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFP7N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для WFP7N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP7N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:652K  winsemi
 wfp7n60.pdf pdf_icon

WFP7N60

WFP7N60WFP7N60WFP7N60WFP7N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures7A,600V,R (Max 1.0)@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 29nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche TestedIsolation Voltage(V =4000V AC) ISO Maximum Junction Temperature Range(150)General Descri

Другие MOSFET... WFP630 , WFP634 , WFP640 , WFP650 , WFP70N06 , WFP70N06T , WFP730 , WFP740 , IRFP450 , WFP830 , WFP830B , WFP840 , WFP840B , WFP8N60 , WFP8N60B , WFP9N20 , WFU1N60 .

History: CS5210PBF | PHP79NQ08LT | SIHFBC30A | AM4466N | LSD65R180GT | NCE0208IA | FK330601

 

 
Back to Top

 


 
.