WFP8N60B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WFP8N60B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 142 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 28 nC
Tiempo de subida (tr): 80 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 115 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WFP8N60B
WFP8N60B Datasheet (PDF)
wfp8n60b.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WFP8N60BWFP8N60BWFP8N60BWFP8N60BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 7.5A,600V,R (Max1.2)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 28nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced
wfp8n60.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WFP8N60WFP8N60WFP8N60WFP8N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 7.5A,600V,R (Max1.2)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 28nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usi
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .