Справочник MOSFET. WFP8N60B

 

WFP8N60B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFP8N60B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для WFP8N60B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP8N60B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:703K  winsemi
 wfp8n60b.pdf pdf_icon

WFP8N60B

WFP8N60BWFP8N60BWFP8N60BWFP8N60BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 7.5A,600V,R (Max1.2)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 28nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced

 7.1. Size:695K  winsemi
 wfp8n60.pdf pdf_icon

WFP8N60B

WFP8N60WFP8N60WFP8N60WFP8N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 7.5A,600V,R (Max1.2)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 28nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usi

Другие MOSFET... WFP730 , WFP740 , WFP7N60 , WFP830 , WFP830B , WFP840 , WFP840B , WFP8N60 , 18N50 , WFP9N20 , WFU1N60 , WFU1N60N , WFU20N06 , WFU2N60 , WFU2N60B , WFU4N60 , WFU5N50 .

History: TSM9409CS | NVMD3P03 | AP9938AGEY | AP18T10GJ | IXFT16N120P | SQ2348ES

 

 
Back to Top

 


 
.