WFP8N60B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFP8N60B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для WFP8N60B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP8N60B даташит

 ..1. Size:703K  winsemi
 wfp8n60b.pdf pdf_icon

WFP8N60B

WFP8N60B WFP8N60B WFP8N60B WFP8N60B Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 7.5A,600V,R (Max1.2 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 28nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced

 7.1. Size:695K  winsemi
 wfp8n60.pdf pdf_icon

WFP8N60B

WFP8N60 WFP8N60 WFP8N60 WFP8N60 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 7.5A,600V,R (Max1.2 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 28nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced usi

Другие IGBT... WFP730, WFP740, WFP7N60, WFP830, WFP830B, WFP840, WFP840B, WFP8N60, BS170, WFP9N20, WFU1N60, WFU1N60N, WFU20N06, WFU2N60, WFU2N60B, WFU4N60, WFU5N50