WFP9N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WFP9N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de WFP9N20 MOSFET
WFP9N20 Datasheet (PDF)
wfp9n20.pdf

WFP9N20WFP9N20WFP9N20WFP9N20Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 9A, 200V, R (Max 0.4)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 43nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usi
Otros transistores... WFP740 , WFP7N60 , WFP830 , WFP830B , WFP840 , WFP840B , WFP8N60 , WFP8N60B , 10N65 , WFU1N60 , WFU1N60N , WFU20N06 , WFU2N60 , WFU2N60B , WFU4N60 , WFU5N50 , WFU5N60 .
History: CEP02N6A | MPSY65M170 | SM6A24NSU | S-LP2307LT1G | 20N03L-TO252 | HGW059N12S | PMPB47XP
History: CEP02N6A | MPSY65M170 | SM6A24NSU | S-LP2307LT1G | 20N03L-TO252 | HGW059N12S | PMPB47XP



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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