WFP9N20 Todos los transistores

 

WFP9N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WFP9N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de WFP9N20 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WFP9N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:515K  winsemi
wfp9n20.pdf pdf_icon

WFP9N20

WFP9N20WFP9N20WFP9N20WFP9N20Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 9A, 200V, R (Max 0.4)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 43nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usi

Otros transistores... WFP740 , WFP7N60 , WFP830 , WFP830B , WFP840 , WFP840B , WFP8N60 , WFP8N60B , 10N65 , WFU1N60 , WFU1N60N , WFU20N06 , WFU2N60 , WFU2N60B , WFU4N60 , WFU5N50 , WFU5N60 .

History: CEP02N6A | MPSY65M170 | SM6A24NSU | S-LP2307LT1G | 20N03L-TO252 | HGW059N12S | PMPB47XP

 

 
Back to Top

 


 
.