Справочник MOSFET. WFP9N20

 

WFP9N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFP9N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP9N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:515K  winsemi
 wfp9n20.pdf pdf_icon

WFP9N20

WFP9N20WFP9N20WFP9N20WFP9N20Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 9A, 200V, R (Max 0.4)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 43nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usi

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: KP726A1 | IRF6729M | NDT6N70 | NVD5C446N | OSG70R900DTF | IPD50R280CE | AP9465BGJ

 

 
Back to Top

 


 
.