WFP9N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFP9N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для WFP9N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP9N20 даташит

 ..1. Size:515K  winsemi
 wfp9n20.pdf pdf_icon

WFP9N20

WFP9N20 WFP9N20 WFP9N20 WFP9N20 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 9A, 200V, R (Max 0.4 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 43nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced usi

Другие IGBT... WFP740, WFP7N60, WFP830, WFP830B, WFP840, WFP840B, WFP8N60, WFP8N60B, 4N60, WFU1N60, WFU1N60N, WFU20N06, WFU2N60, WFU2N60B, WFU4N60, WFU5N50, WFU5N60