WFU1N60N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WFU1N60N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15 Ohm

Encapsulados: TO-251

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WFU1N60N datasheet

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WFU1N60N

WFU1N60N Silicon N-Channel MOSFET Features 1A,600V, RDS(on)(Max 15.0 )@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 6.1nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description Th is Pow er MO S FET is pro du c ed usi ng Win se m i s ad va n ced planar stripe, VDMOS technology. This latest technology has

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WFU1N60N

WFU1N60 WFU1N60 WFU1N60 WFU1N60 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 1.3A,600V,R (Max 8.5 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 9.1nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced u

Otros transistores... WFP830, WFP830B, WFP840, WFP840B, WFP8N60, WFP8N60B, WFP9N20, WFU1N60, IRF1407, WFU20N06, WFU2N60, WFU2N60B, WFU4N60, WFU5N50, WFU5N60, WFU5N60B, WFU730