Справочник MOSFET. WFU1N60N

 

WFU1N60N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFU1N60N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для WFU1N60N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFU1N60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:582K  winsemi
 wfu1n60n.pdf pdf_icon

WFU1N60N

WFU1N60NSilicon N-Channel MOSFET Features 1A,600V, RDS(on)(Max 15.0)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 6.1nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150) General Description Th is Pow er MO S FET is pro du c ed usi ng Win se m i s ad va n ced planar stripe, VDMOS technology. This latest technology has

 7.1. Size:511K  winsemi
 wfu1n60.pdf pdf_icon

WFU1N60N

WFU1N60WFU1N60WFU1N60WFU1N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 1.3A,600V,R (Max 8.5)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 9.1nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced u

Другие MOSFET... WFP830 , WFP830B , WFP840 , WFP840B , WFP8N60 , WFP8N60B , WFP9N20 , WFU1N60 , P0903BDG , WFU20N06 , WFU2N60 , WFU2N60B , WFU4N60 , WFU5N50 , WFU5N60 , WFU5N60B , WFU730 .

History: SIB452DK | GSM9910 | BRCS3404MA | PHD23NQ10T | FQA14N30 | AFN07N65T220FT | IRFP90N20DPBF

 

 
Back to Top

 


 
.