WFU4N60 Todos los transistores

 

WFU4N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WFU4N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

 Búsqueda de reemplazo de WFU4N60 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WFU4N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:512K  winsemi
 wfu4n60.pdf pdf_icon

WFU4N60

WFU4N60WFU4N60WFU4N60WFU4N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 4A,600V.R (Max 2.5)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 16nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage ( VISO = 4000V AC ) Maximum Junction Temperature Range(150)General Descr

Otros transistores... WFP8N60 , WFP8N60B , WFP9N20 , WFU1N60 , WFU1N60N , WFU20N06 , WFU2N60 , WFU2N60B , RFP50N06 , WFU5N50 , WFU5N60 , WFU5N60B , WFU730 , WFU830 , WFW064N , WFW13N50 , WFW18N50 .

History: NCE60N670K | GP1T072A060B | VS4618AS | HY4N65T

 

 
Back to Top

 


 
.