WFU4N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WFU4N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO-251

 Búsqueda de reemplazo de WFU4N60 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

WFU4N60 datasheet

 ..1. Size:512K  winsemi
 wfu4n60.pdf pdf_icon

WFU4N60

WFU4N60 WFU4N60 WFU4N60 WFU4N60 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 4A,600V.R (Max 2.5 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 16nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage ( VISO = 4000V AC ) Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Descr

Otros transistores... WFP8N60, WFP8N60B, WFP9N20, WFU1N60, WFU1N60N, WFU20N06, WFU2N60, WFU2N60B, RFP50N06, WFU5N50, WFU5N60, WFU5N60B, WFU730, WFU830, WFW064N, WFW13N50, WFW18N50