WFU4N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFU4N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для WFU4N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFU4N60 даташит

 ..1. Size:512K  winsemi
 wfu4n60.pdf pdf_icon

WFU4N60

WFU4N60 WFU4N60 WFU4N60 WFU4N60 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 4A,600V.R (Max 2.5 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 16nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage ( VISO = 4000V AC ) Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Descr

Другие IGBT... WFP8N60, WFP8N60B, WFP9N20, WFU1N60, WFU1N60N, WFU20N06, WFU2N60, WFU2N60B, RFP50N06, WFU5N50, WFU5N60, WFU5N60B, WFU730, WFU830, WFW064N, WFW13N50, WFW18N50