Справочник MOSFET. WFU4N60

 

WFU4N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFU4N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для WFU4N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFU4N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:512K  winsemi
 wfu4n60.pdf pdf_icon

WFU4N60

WFU4N60WFU4N60WFU4N60WFU4N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 4A,600V.R (Max 2.5)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 16nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage ( VISO = 4000V AC ) Maximum Junction Temperature Range(150)General Descr

Другие MOSFET... WFP8N60 , WFP8N60B , WFP9N20 , WFU1N60 , WFU1N60N , WFU20N06 , WFU2N60 , WFU2N60B , SKD502T , WFU5N50 , WFU5N60 , WFU5N60B , WFU730 , WFU830 , WFW064N , WFW13N50 , WFW18N50 .

History: AFC6601 | 2SK3982-01MR | IPA50R520CP | SVF2N65N | CED02N65A | BUK714R1-40BT | TP2435

 

 
Back to Top

 


 
.