WFU730 Todos los transistores

 

WFU730 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WFU730
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

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WFU730 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:655K  winsemi
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WFU730

WFU730WFU730WFU730WFU730Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures5.5A,400V, R (Max 1.0)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using W

Otros transistores... WFU1N60N , WFU20N06 , WFU2N60 , WFU2N60B , WFU4N60 , WFU5N50 , WFU5N60 , WFU5N60B , 2N60 , WFU830 , WFW064N , WFW13N50 , WFW18N50 , WFW18N50N , WFW18N50W , WFW20N60W , WFW24N50N .

History: AP70SL380AS | HM50N06 | FQP3N40 | AP4439GM-HF | CTN04N7P5 | HGB025N06S | 8N65KG-TF3-T

 

 
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